化學氣相沉積
化學氣相沉積 (CVD) 是一種在受控化學反應的氣相過程中，在基材表面磊晶沉積固體材料薄膜的方法。CVD 也稱為薄膜沉積，普遍應用於電子、光電、催化和能源等領域，例如半導體、矽晶圓製備和可印刷太陽能電池等。
CVD 技術是支援薄膜成長的多用途快速方法，即使在複雜或輪廓分明的表面上，也能產生厚度均勻、孔隙率可控的純淨鍍層。此外，大面積和選擇性的 CVD 也可以在圖案化的基板上實現。CVD 為自下而上合成二維 (2D) 材料或薄膜，例如金屬 (如矽、鎢)、碳 (如石墨烯、鑽石)、砷化物、碳化物、氮化物、氧化物和過渡金屬二鹵化物 (TMDC) 等，提供了一種可擴展、可控制且具成本效益的生長方法。要合成有序的薄膜，需要高純度的金屬前體（有機金屬、鹵化物、烷基、烷氧基和酮酸鹽）。
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膜層的組成與形貌會因 CVD 製程所選擇的前導體與基板、溫度、腔體壓力、載氣流量、源材料的數量與比例，以及源與基板的距離而有所不同。原子層沉積 (ALD) 是 CVD 的一個子類，可透過前體在基板上的順序、自限制反應，進一步控制薄膜的沉積。
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