跳转至内容
Merck

901624

Sigma-Aldrich

缓冲氧化物蚀刻剂(BOE) 6:1

别名:

BHF, 缓冲HF

登录查看公司和协议定价


About This Item

分類程式碼代碼:
12161700
NACRES:
NA.23

一般說明

BOE 6:1是6份体积的40%氟化铵和1份体积的49%氢氟酸。
缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)是一种用于微细加工的液体腐蚀剂。它的主要用途是蚀刻二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)的薄膜。它是氟化铵(NH4F)和氢氟酸(HF)等缓冲液的混合物。浓缩的 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快,不能很好地进行工艺控制,同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。

應用

缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)6:1可用于栅极光刻(gate photolithography)的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管的氧化物去除。它可用于缓冲氧化物蚀刻剂法,制造微型生物芯片。

象形圖

Skull and crossbonesCorrosion

訊號詞

Danger

危險分類

Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Oral - Acute Tox. 3 Inhalation - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A

儲存類別代碼

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

水污染物質分類(WGK)

WGK 2

閃點(°F)

Not applicable

閃點(°C)

Not applicable


分析证书(COA)

输入产品批号来搜索 分析证书(COA) 。批号可以在产品标签上"批“ (Lot或Batch)字后找到。

已有该产品?

在文件库中查找您最近购买产品的文档。

访问文档库

其他客户在看

Slide 1 of 1

1 of 1

Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)

我们的科学家团队拥有各种研究领域经验,包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.

联系技术服务部门