跳转至内容
Merck

357391

Sigma-Aldrich

碳化硅

−400 mesh particle size, ≥97.5%

别名:

Carbon silicide, Carborundum, Methanidylidynesilanylium, Silicon monocarbide

登录查看公司和协议定价


About This Item

线性分子式:
SiC
CAS号:
分子量:
40.10
EC號碼:
MDL號碼:
分類程式碼代碼:
12352300
PubChem物質ID:
NACRES:
NA.23

描述

hexagonal phase

品質等級

化驗

≥97.5%

形狀

powder

粒徑

−400 mesh

mp

2700 °C (lit.)

密度

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES 字串

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2

InChI 密鑰

HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

正在寻找类似产品? 访问 产品对比指南

一般說明

碳化硅(SiC)是一种半导体材料,具有密闭堆积的硅和碳双层结构。它具有出色的热机械和电性能,这使得其可用于多种电子和光电应用中。

應用

SiC主要可作为基材用于例如微结构、 光电设备(发光二极管(LED)、紫外线检测器)、 高温电子设备(核电子设备)、 和高频设备等应用中。

儲存類別代碼

11 - Combustible Solids

水污染物質分類(WGK)

nwg

閃點(°F)

Not applicable

閃點(°C)

Not applicable

個人防護裝備

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


历史批次信息供参考:

分析证书(COA)

Lot/Batch Number

没有发现合适的版本?

如果您需要特殊版本,可通过批号或批次号查找具体证书。

已有该产品?

在文件库中查找您最近购买产品的文档。

访问文档库

Emanuele Rizzuto et al.
Sensors (Basel, Switzerland), 19(23) (2019-11-27)
In this paper, the characterization of the main techniques and transducers employed to measure local and global strains induced by uniaxial loading of murine tibiae is presented. Micro strain gauges and digital image correlation (DIC) were tested to measure local
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
Properties of silicon carbide (1995)
A high-density, high-efficiency, isolated on-board vehicle battery charger utilizing silicon carbide power devices
Whitaker B, et al.
IEEE Transactions on Power Electronics, 29(5), 2606-2617 (2013)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)

商品

Three approaches generate white light, including LED-based down-conversion for broader applications.

我们的科学家团队拥有各种研究领域经验,包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.

联系技术服务部门