Saltar al contenido
Merck
Todas las fotos(2)

Documentos clave

Ver Toda la documentación

669008

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV)

packaged for use in deposition systems

Sinónimos:

TDMAT, Tetrakis(dimethylamino)titanium(IV)

Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización
Todas las fotos(2)

About This Item

Fórmula lineal:
[(CH3)2N]4Ti
Número de CAS:
3275-24-9
Peso molecular:
224.17
Número CE:
221-904-3
Número MDL:
MFCD00014861
Código UNSPSC:
12352103
ID de la sustancia en PubChem:
24885015
NACRES:
NA.23

Nivel de calidad

100

Ensayo

99.999% (trace metals analysis)

Formulario

liquid

idoneidad de la reacción

core: titanium

bp

50 °C/0.5 mmHg (lit.)

densidad

0.947 g/mL at 25 °C (lit.)

cadena SMILES

CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Ti/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Clave InChI

MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N

¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos

Descripción general

Atomic number of base material: 22 Titanium

Aplicación

Precursors Packaged for Depositions Systems
The product is a precursor for the deposition of titanium dioxide thin films by atomic layer deposition with water. Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV) (TDMAT) undergoes exothermal reaction with excess cyclopentadiene to yield tris(dimethylamido)(η5-cyclopentadienyl)titanium(IV).

Pictogramas

FlameCorrosion
GHS02,GHS05

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

H225,H260,H314

Clasificaciones de peligro

Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - Water-react 1

Riesgos supl.

EUH014

Código de clase de almacenamiento

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

-22.0 °F - closed cup

Punto de inflamabilidad (°C)

-30 °C - closed cup

Equipo de protección personal

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter

Elija entre una de las versiones más recientes:

Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
SHBP1947
SHBL6315
80197MMV
80196MMV
10218DJV

¿No ve la versión correcta?

Si necesita una versión concreta, puede buscar un certificado específico por el número de lote.

Busque por un COA

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos

Journal of Applied Physics, 102, 083521/1-083521/1 (2007)
Mikami K, et al. et al.
Science of Synthesis: Houben-Weyl Methods of Molecular Transformations, 2, 494-494 (2014)
Matthew T McDowell et al.
ACS applied materials & interfaces, 7(28), 15189-15199 (2015-06-18)
Light absorbers with moderate band gaps (1-2 eV) are required for high-efficiency solar fuels devices, but most semiconducting photoanodes undergo photocorrosion or passivation in aqueous solution. Amorphous TiO2 deposited by atomic-layer deposition (ALD) onto various n-type semiconductors (Si, GaAs, GaP

Artículos

Savannah ALD System for Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Savannah ALD System for Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Savannah ALD System for Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Savannah ALD System for Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Ver todo

Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.

Póngase en contacto con el Servicio técnico