264091
Indium
rod, diam. 6 mm, ≥99.999% trace metals basis
Sinónimos:
Indium element
Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización
About This Item
Fórmula empírica (notación de Hill):
In
Número de CAS:
Peso molecular:
114.82
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12141719
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.23
Productos recomendados
presión de vapor
<0.01 mmHg ( 25 °C)
Nivel de calidad
Ensayo
≥99.999% trace metals basis
Formulario
rod
resistividad
8.37 μΩ-cm
Diámetro
6 mm
mp
156.6 °C (lit.)
densidad
7.3 g/mL at 25 °C (lit.)
cadena SMILES
[In]
InChI
1S/In
Clave InChI
APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos
Categorías relacionadas
Cantidad
20 g = 100 mm
Código de clase de almacenamiento
13 - Non Combustible Solids
Clase de riesgo para el agua (WGK)
WGK 3
Punto de inflamabilidad (°F)
Not applicable
Punto de inflamabilidad (°C)
Not applicable
Equipo de protección personal
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
Elija entre una de las versiones más recientes:
¿Ya tiene este producto?
Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.
Juan Zhou et al.
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
Thirumaleshwara N Bhat et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 498-503 (2013-05-08)
The thermal oxidation process of the indium nitride (InN) nanorods (NRs) was studied. The SEM studies reveal that the cracked and burst mechanism for the formation of indium oxide (In2O3) nanostructures by oxidizing the InN NRs at higher temperatures. XRD
D Hermann et al.
Inorganic chemistry, 52(5), 2744-2749 (2013-02-16)
Several metal-organic framework compounds (MOF-5, MIL-68(Ga), MIL-68(In), MIL-53(Al)) were loaded with azobenzene (AZB), as confirmed by XRPD measurements and elemental analysis. By IR spectroscopy, it was shown that the light-induced trans/cis isomerization of AZB in these hybrid host-guest compounds is
Han-Youl Ryu et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A190-A200 (2013-02-15)
We investigate the dependence of various efficiencies in GaN-based vertical blue light-emitting diode (LED) structures on the thickness and doping concentration of the n-GaN layer by using numerical simulations. The electrical efficiency (EE) and the internal quantum efficiency (IQE) are
Annick Bay et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A179-A189 (2013-02-15)
In this paper the design, fabrication and characterization of a bioinspired overlayer deposited on a GaN LED is described. The purpose of this overlayer is to improve light extraction into air from the diode's high refractive-index active material. The layer
Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.
Póngase en contacto con el Servicio técnico