264091
Indium
rod, diam. 6 mm, ≥99.999% trace metals basis
Sinónimos:
Indium element
Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización
About This Item
Fórmula empírica (notación de Hill):
In
Número de CAS:
Peso molecular:
114.82
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12141719
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.23
En este momento no podemos mostrarle ni los precios ni la disponibilidad
Productos recomendados
presión de vapor
<0.01 mmHg ( 25 °C)
Ensayo
≥99.999% trace metals basis
Formulario
rod
resistividad
8.37 μΩ-cm
Diámetro
6 mm
mp
156.6 °C (lit.)
densidad
7.3 g/mL at 25 °C (lit.)
cadena SMILES
[In]
InChI
1S/In
Clave InChI
APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos
Categorías relacionadas
Cantidad
20 g = 100 mm
Código de clase de almacenamiento
13 - Non Combustible Solids
Clase de riesgo para el agua (WGK)
WGK 3
Punto de inflamabilidad (°F)
Not applicable
Punto de inflamabilidad (°C)
Not applicable
Equipo de protección personal
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
Elija entre una de las versiones más recientes:
¿Ya tiene este producto?
Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.
Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Optical polarization characteristics of semipolar (3031) and (3031) InGaN/GaN light-emitting diodes.
Yuji Zhao et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A53-A59 (2013-02-15)
Linear polarized electroluminescence was investigated for semipolar (3031) and (3031) InGaN light-emitting diodes (LEDs) with various indium compositions. A high degree of optical polarization was observed for devices on both planes, ranging from 0.37 at 438 nm to 0.79 at
Hwa Sub Oh et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 564-567 (2013-05-08)
We investigate Ga0.33In0.67P quantum dot structures appropriate for special lighting applications in terms of structural and optical behaviors. The Ga0.33In0.67P materials form from 2-dimentional to 3-dimensional dots as the nominal growth thickness increases from 0.5 nm to 6.0 nm, indicating
Juan Zhou et al.
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
G W Shu et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(10), 3618-3622 (2013-02-06)
Nonradiative energy transfer from an InGaN quantum well to Ag nanoparticles is unambiguously demonstrated by the time-resolved photoluminescence. The distance dependence of the energy transfer rate is found to be proportional to 1/d(3), in good agreement with the prediction of
Active Filters
Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.
Póngase en contacto con el Servicio técnico
