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Silicon carbide
-200 mesh particle size
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About This Item
Formule linéaire :
SiC
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
40.10
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23
Produits recommandés
Forme
powder
Niveau de qualité
Taille des particules
-200 mesh
Pf
2700 °C (lit.)
Densité
3.22 g/mL at 25 °C (lit.)
Chaîne SMILES
[C-]#[Si+]
InChI
1S/CSi/c1-2
Clé InChI
HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N
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Description générale
Silicon carbide (SiC) is a semiconductor based material that consists of a closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has an excellent thermo-mechanical property that makes it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.
Application
SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices(OLEDs), UV detectors, high temperature electronics (nuclear electronics), high frequency devices
Code de la classe de stockage
11 - Combustible Solids
Classe de danger pour l'eau (WGK)
nwg
Point d'éclair (°F)
Not applicable
Point d'éclair (°C)
Not applicable
Équipement de protection individuelle
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
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Properties of silicon carbide (1995)
Development of SiC-Si composites with fine-grained SiC microstructures
Wilhelm M, et al.
J. Eur. Ceram. Soc., 19(12), 2155-2163 (1999)
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
A high-density, high-efficiency, isolated on-board vehicle battery charger utilizing silicon carbide power devices
Whitaker B, et al.
IEEE Transactions on Power Electronics, 29(5), 2606-2617 (2013)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)
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