343250
Silicon
pieces, 99.95% trace metals basis
Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme
About This Item
Produits recommandés
Niveau de qualité
Pureté
99.95% trace metals basis
Forme
pieces
Point d'ébullition
2355 °C (lit.)
Pf
1410 °C (lit.)
Densité
2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
Chaîne SMILES
[Si]
InChI
1S/Si
Clé InChI
XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
Vous recherchez des produits similaires ? Visite Guide de comparaison des produits
Catégories apparentées
Code de la classe de stockage
13 - Non Combustible Solids
Classe de danger pour l'eau (WGK)
WGK 3
Point d'éclair (°F)
Not applicable
Point d'éclair (°C)
Not applicable
Équipement de protection individuelle
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
Faites votre choix parmi les versions les plus récentes :
Déjà en possession de ce produit ?
Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.
Les clients ont également consulté
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3397-3402 (2013-07-19)
We investigated the thin film growths of hydrogenated silicon by hot-wire chemical vapor deposition with different flow rates of SiH4 and H2 mixture ambient and fabricated thin film solar cells by implementing the intrinsic layers to SiC/Si heterojunction p-i-n structures.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(4), 2451-2460 (2013-06-15)
The physical properties of porous materials are being exploited for a wide range of applications including optical biosensors, waveguides, gas sensors, micro capacitors, and solar cells. Here, we review the fast, easy and inexpensive electrochemical anodization based fabrication porous silicon
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..
Contacter notre Service technique