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Merck

752622

Sigma-Aldrich

Eisensilicid

greener alternative

powder, -20 mesh, 99.9% trace metals basis

Synonym(e):

Iron silicide

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Empirische Formel (Hill-System):
FeSi2
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
112.02
UNSPSC-Code:
12352103
NACRES:
NA.23

Qualitätsniveau

Assay

99.9% trace metals basis

Form

powder

Grünere Alternativprodukt-Eigenschaften

Design for Energy Efficiency
Learn more about the Principles of Green Chemistry.

sustainability

Greener Alternative Product

Partikelgröße

-20 mesh

mp (Schmelzpunkt)

1220 °C (lit.)

Grünere Alternativprodukt-Kategorie

InChI

1S/Fe.2H2Si/h;2*1H2

InChIKey

UVUDQHYBXBVHAI-UHFFFAOYSA-N

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Allgemeine Beschreibung

Iron disilicide (FeSi2) is a direct bandgap (0.85-0.87 eV) semiconductor material that has a high optical absorption coefficient, high Seebeck coefficient, high working temperature and high resistance to oxidation.
We are committed to bringing you Greener Alternative Products, which adhere to one or more of The 12 Principles of Greener Chemistry. This product has been enhanced for energy efficiency. Find details here.

Anwendung

FeSi2 can be used in a variety of optoelectronic applications such as lithium-ion batteries, light-emitting diodes (LEDs) and solar cells.

Lagerklassenschlüssel

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable


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Meng, Q. S.; Fan, W. H.; Chen, R. X.; Munir, Z. A.
J. Alloy Compounds, 492, 303-303 (2010)
Gross, E.; Riffel, M.; Stoehrer, U.
Journal of Materials Research, 10, 34-34 (1995)
Enhanced Room-Temperature 1.6 mu Electroluminescence from Si-Based Double-Heterostructure Light-Emitting Diodes Using Iron Disilicide
Suzuno M, et al.
Japanese Journal of Applied Physics, 49(4S), 04DG16-04DG16 (2010)
Semiconducting nanocrystalline iron disilicide thin films prepared by pulsed-laser ablation
Yoshitake T, et al.
Applied Physics Letters, 83(15), 3057-3059 (2003)
A thin-film solar cell of high-quality beta-FeSi2/Si heterojunction prepared by sputtering
Liu Z, et al.
Solar Energy Materials and Solar Cells, 90(3), 276-282 (2006)

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