920959
Graphene, monolayer film
on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
About This Item
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Nombre del producto
Monolayer Graphene on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
descripción
Graphene Coverage: 100% with sporadic adlayers
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm) substrate
Monolayer Graphene Transparency: >97%
Raman D/G ratio: Indistinguishable to 0.03
Substrate Type/Doping: P/B
430 Ω/sq ±50 Ω/sq
Nivel de calidad
resistividad
1-10 Ω-cm
Diámetro
100 mm (4 in.)
tamaño del grano
>40 μm
propiedades de los semiconductores
(mobility>2700 cm2/V·s) (FET mobility)
cadena SMILES
[C]
InChI
1S/C
Clave InChI
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
Descripción general
Aplicación
Almacenamiento y estabilidad
Otras notas
Código de clase de almacenamiento
13 - Non Combustible Solids
Clase de riesgo para el agua (WGK)
WGK 3
Punto de inflamabilidad (°F)
Not applicable
Punto de inflamabilidad (°C)
Not applicable
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