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667846

Sigma-Aldrich

BBL

Sinónimos:

BBL

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About This Item

Fórmula lineal:
(C20H6N4O2)n
Número de CAS:
34398-57-7
Número MDL:
MFCD08705356
Código UNSPSC:
12352103
NACRES:
NA.23

descripción

Band gap: 1.9 eV

Formulario

solid

Energía orbital

HOMO -5.9 eV 
LUMO -4.0 eV 

rendimiento de la unidad OPV

ITO/MEH-PPV/BBL/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 1.98 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.93 V
  • Fill Factor (FF): 0.47
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 1.1 %

ITO/PPV/BBL/Al
  • Short-circuit current density (Jsc): 2.15 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 1.1 V
  • Fill Factor (FF): 0.5
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 1.5 %

propiedades de los semiconductores

N-type (mobility=0.1 cm2/V·s)
P-type (mobility=0.4 cm2/V·s)

Aplicación

Polymer semiconductor with n-type behavior in organic field-effect transistors (FETs) and photovoltaic cells (PVs). Processed from solutions in methanesulfonic acid.

Código de clase de almacenamiento

11 - Combustible Solids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

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Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
MKCW8967
MKCS9894
MKCS9729
MKCR4748
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Alam, M. M.; Jenekhe, S. A.
Chemistry of Materials, 16, 4647-4656 (2004)
Manoj, A.G.; Narajan, K.S.
Opt. Mater., 21, 417-417 (2002)
Amit Babel et al.
Journal of the American Chemical Society, 125(45), 13656-13657 (2003-11-06)
Field-effect mobility of electrons as high as 0.1 cm2/(V s) is observed in n-channel thin film transistors fabricated from a solution spin-coated conjugated ladder polymer, poly(benzobisimidazobenzophenanthroline) (BBL), under ambient air conditions. This is the highest electron mobility observed to date
Jenekhe, S.A.; Yi, S.
Applied Physics Letters, 77, 2635-2635 (2000)

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