920126
Graphene, monolayer film
4 in diameter, CVD on silicon wafer, large grain, avg. no. of layers, 1
Synonyme(s) :
Roll-to-Roll graphene
About This Item
Produits recommandés
product name
R2R Monolayer large grain CVD graphene on silicon wafer, 4 in diameter, avg. no. of layers, 1
Niveau de qualité
Description
Growth method: roll-to-roll CVD
Wafer: SiO2 (300nm) Si
Number of layer: Monolayer
Raman intensity 2D/G: ≥1.5
Caractéristiques
avg. no. of layers 1
Résistance de la couche
280 Ω/sq ±10%
Taille
110 μm × 110 μm ± 10% , grain size
Couverture de surface
surface coverage >98%
Transmittance
>97%
Propriétés du semi-conducteur
(mobility>3000 cm2/V·s) (Hall effect measurements)
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Description générale
Application
The roll-to-roll process allows continuous, large scale graphene production.
This large grain size graphene product on silicon wafer is ready to use, helps you minimize process time, and increase success rate. This product with low sheet resistance would enable unmatched reproducibility and allow high performance for CVD graphene based FET, CVD graphene based sensors, and heterostructure based micro/nano electronics.
Application examples:
- Ultrafast Transistor
- Optical devices
- Bio/Gas Sensor
- Transparent Electrode
- Flexible Display
- Smart Coating
- Thermal management
Attention
Keep away from contamination, heat, dust and flame etc.
Stockage et stabilité
Informations légales
Code de la classe de stockage
11 - Combustible Solids
Classe de danger pour l'eau (WGK)
WGK 3
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Certificats d'analyse (COA)
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