Accéder au contenu
Merck
Toutes les photos(1)

Key Documents

901623

Sigma-Aldrich

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 with surfactant

Synonyme(s) :

BHF, Buffered HF

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme
Toutes les photos(1)

About This Item

Code UNSPSC :
12161700
Nomenclature NACRES :
NA.23

Description générale

Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.

Application

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 with surfactant may be used in the oxide removal of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors for gate photolithography. It may also be used in a buffer oxide etchant method for the fabrication of micro biochip.

Pictogrammes

Skull and crossbonesCorrosion
GHS06,GHS05

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H300 + H310 + H330,H314

Classification des risques

Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Inhalation - Acute Tox. 2 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A

Code de la classe de stockage

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 2

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Faites votre choix parmi les versions les plus récentes :

Certificats d'analyse (COA)

Lot/Batch Number
MKCW6426
MKCV6405
MKCT9936
MKCV0392
MKCT1693

Vous ne trouvez pas la bonne version ?

Si vous avez besoin d'une version particulière, vous pouvez rechercher un certificat spécifique par le numéro de lot.

Rechercher un(e) COA

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique