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Sigma-Aldrich

Disilane

electronic grade

Synonyme(s) :

Disilicane, Disilicoethane, Disilicon hexahydride, Silicoethane, Silicon hydride (Si2 H6 )

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About This Item

Formule linéaire :
Si2H6
Numéro CAS:
1590-87-0
Poids moléculaire :
62.22
Numéro CE :
216-466-5
Numéro MDL:
MFCD00054678
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
24869889
Nomenclature NACRES :
NA.23

Qualité

electronic grade

Pureté

≥99.998% chemical purity basis

Forme

gas

Impuretés

≤50 ppm Higher silanes
<0.2 ppm Chlorosilanes
<1 ppm Argon (Ar) + Oxygen (O2)
<1 ppm Carbon dioxide (CO2)
<1 ppm Nitrogen (N2)
<1 ppm THC
<1 ppm Water
<5 ppm Siloxanes

Point d'ébullition

−14.5 °C (lit.)

Pf

−132.6 °C (lit.)

Température de transition

critical temperature 150.9 °C

Chaîne SMILES 

[SiH3][SiH3]

InChI

1S/H6Si2/c1-2/h1-2H3

Clé InChI

PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N

Catégories apparentées

Description générale

Atomic number of base material: 14 Silicon

Application

Precursor for the rapid, low temperature deposition of epitaxial silicon and silicon-based dielectrics.

Caractéristiques et avantages

Disilane is used for the deposition of amorphous silicon, epitaxial silicon and silicon based dielectrics via rapid low-temperature chemical vapor depsition (LTCVD). Disilane is also used in the epitaxial growth of SiGe films by molecular beam epitaxy (MBE) in conjunction with solid sources of germanium. Precursor for the rapid, low temperature deposition of epitaxial silicon and silicon-based dielectrics.

Mention d'avertissement

Danger

Classification des risques

Acute Tox. 4 Dermal - Eye Irrit. 2 - Flam. Gas 1B - Press. Gas Liquefied gas - Resp. Sens. 1 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

Organes cibles

Respiratory system

Code de la classe de stockage

2A - Gases

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

<50.0 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

< 10 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US)

Certificats d'analyse (COA)

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Journal of Applied Physiology, 81, 205-205 (1997)
Gen He et al.
Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany), 4(11), 1700158-1700158 (2017-12-05)
Establishing low-cost, high-throughput, simple, and accurate single nucleotide polymorphism (SNP) genotyping techniques is beneficial for understanding the intrinsic relationship between individual genetic variations and their biological functions on a genomic scale. Here, a straightforward and reliable single-molecule approach is demonstrated
O D Supekar et al.
Nanotechnology, 27(49), 49LT02-49LT02 (2016-11-12)
Focused ion beam (FIB) micromachining is a powerful tool for maskless lithography and in recent years FIB has been explored as a tool for strain engineering. Ion beam induced deformation can be utilized as a means for folding freestanding thin
Jorge Alamán et al.
Polymers, 11(3) (2019-04-10)
Accurate positioning of luminescent materials at the microscale is essential for the further development of diverse application fields including optoelectronics, energy, biotechnology and anti-counterfeiting. In this respect, inkjet printing has recently attracted great interest due to its ability to precisely
Jie Li et al.
ACS nano, 11(12), 12789-12795 (2017-12-08)
F
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