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Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)zirconium(IV)

electronic grade, ≥99.99% trace metals basis

Sinónimos:

TDMAZ, Tetrakis(dimethylamino)zirconium(IV)

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About This Item

Fórmula lineal:
[(CH3)2N]4Zr
Número de CAS:
19756-04-8
Peso molecular:
267.53
Número MDL:
MFCD00239502
Código UNSPSC:
12352103
ID de la sustancia en PubChem:
24880977
NACRES:
NA.23

grado

electronic grade

Análisis

≥99.99% trace metals basis

formulario

solid

idoneidad de la reacción

core: zirconium

mp

57-60 °C (lit.)

temp. de almacenamiento

2-8°C

cadena SMILES

CN(C)[Zr](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Zr/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Clave InChI

DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N

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Categorías relacionadas

Aplicación

Tetrakis(dimethylamido) zirconium (IV) may be used as a precursor for atomic layer deposition of zirconium which find applications ranging from gas sensors to high-k dielectrics in microelectronics.

Pictogramas

FlameExclamation mark
GHS02,GHS07

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

H228,H261,H315,H319,H335

Clasificaciones de peligro

Eye Irrit. 2 - Flam. Sol. 1 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3 - Water-react 2

Órganos de actuación

Respiratory system

Riesgos supl.

EUH014

Código de clase de almacenamiento

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

No data available

Punto de inflamabilidad (°C)

No data available

Equipo de protección personal

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

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Atomic layer deposition of ZrO2 and HfO2 nanotubes by template replication
Gu D, et al.
Electrochemical and Solid-State Letters, 12.4, K25-K28 (2009)
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films.
Hausmann DM & Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249.1, 251-261 (2003)

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