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Merck

333891

Sigma-Aldrich

Silane

≥99.998%, electronic grade

Sinónimos:

Silicon tetrahydride

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About This Item

Fórmula lineal:
SiH4
Número de CAS:
Peso molecular:
32.12
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352300
ID de la sustancia en PubChem:

grado

electronic grade

densidad de vapor

1.1 (vs air)

Ensayo

≥99.998%

Formulario

gas

resistividad

>1000 Ω-cm

impurezas

<1 ppm Carbon dioxide (CO2)
<1 ppm Carbon monoxide (CO)
<1 ppm Chlorosilanes
<1 ppm THC
<1 ppm Trisilane (Si3H8)
<1 ppm Water (H2O)
<100 ppm Hydrogen (H2)
<2 ppm Nitrogen (N2)
<2 ppm Siloxanes
<5 ppm Disilane (Si2H6)

bp

−112 °C (lit.)

mp

−185 °C (lit.)

temperatura de transición

critical temperature −3.4 °C

densidad

1.114 g/mL at 25 °C (lit.)

cadena SMILES

[SiH4]

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Aplicación

Silane is used in the deposition of amorphous silicon, epitaxial silicon and silicon based dielectrics. Polycrystalline films can be deposited on silicon wafers and glass substrates via remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD) using a SiH4-SiF2-H2 gas mixture. Silane is used widely as a dopant in the formation of III-IV semiconductor materials.

Productos recomendados

Stainless steel regulators Z527416 or Z527424 are recommended.

Pictogramas

FlameGas cylinder

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

Clasificaciones de peligro

Flam. Gas 1A - Press. Gas Compr. Gas

Código de clase de almacenamiento

2A - Gases

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 1

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

Eyeshields, Faceshields, Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US)


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Hu, C. C.
Thin Solid Films, 288, 147-147 (1996)
Structural and electrical properties of low temperature polycrystalline silicon deposited using SiF4?SiH4?H2
Jin Jang
Thin Solid Films, 289, 227-227 (1996)
Quinn, L.J.
Thin Solid Films, 296, 7-7 (1997)

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