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Merck

303518

Sigma-Aldrich

Tantalum(V) oxide

99% trace metals basis

Sinónimos:

Tantalum pentoxide

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About This Item

Fórmula lineal:
Ta2O5
Número de CAS:
Peso molecular:
441.89
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352303
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.23

Análisis

99% trace metals basis

formulario

powder

idoneidad de la reacción

reagent type: catalyst
core: tantalum

densidad

8.2 g/mL at 25 °C (lit.)

aplicaciones

battery manufacturing

cadena SMILES

O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O

InChI

1S/5O.2Ta

Clave InChI

PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N

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Descripción general

Tantalum pentoxide is dielectric in nature making it useful for making capacitors in the electronics industry.

Aplicación

Tantalum oxide is intermixed with silicon in gate dielectric structures. It may be used to synthesize hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.Ion-beam sputter deposition of tantalum oxide films was investigated for possible optical coating applications.It may be used in making optical glass for lenses and in electronic circuits.

Código de clase de almacenamiento

11 - Combustible Solids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

nwg

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Effects of oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.
H Demiryont et al.
Applied optics, 24(4), 490-490 (1985-02-15)
Synthesis and characterization of hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.
Antonelli DM and Ying JY
Chemistry of Materials, 8(4), 874-881 (1996)
Intermixing at the tantalum oxide/silicon interface in gate dielectric structures.
Alers GB, et al.
Applied Physics Letters, 73(11), 1517-1519 (1998)

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