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Merck

266418

Sigma-Aldrich

Tellurium

powder, −200 mesh, 99.8% trace metals basis

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About This Item

Fórmula empírica (notación de Hill):
Te
Número de CAS:
Peso molecular:
127.60
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12141913
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.23

Análisis

99.8% trace metals basis

formulario

powder

resistividad

5.8-33 μΩ-cm, 20°C

tamaño de partícula

−200 mesh

bp

990 °C (lit.)

mp

450 °C (lit.)

densidad

6.24 g/mL at 25 °C (lit.)

cadena SMILES

[Te]

InChI

1S/Te

Clave InChI

PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N

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Descripción general

Tellurium is anon-radioactive and heaviest member of the chalcogen family. It has a widerange of oxidation states, from -2 to +6. It is widely used in the fields ofmetallurgy and electronics.

Aplicación

Tellurium can be used as a precursor to prepare:
  • Tellurium-based nanomaterials for semiconductor application, such as CdTe nanoparticles via solvothermal synthesis.
  • Quantum dot solutions for fluorometric determination of bioactive compounds.
  • Thermoelectricmaterials, such as Cu4Mn2Te4 by the melting-quenching-SPS method.
Tellurium, in combination with potassium hydroxide, mediates the quantitative pinacolization of aromatic carbonyl compounds.

Pictogramas

Health hazardExclamation mark

Palabra de señalización

Danger

Clasificaciones de peligro

Acute Tox. 4 Inhalation - Aquatic Chronic 4 - Lact. - Repr. 1B - Skin Sens. 1B

Código de clase de almacenamiento

6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 2

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P2 (EN 143) respirator cartridges


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Zhe Liu et al.
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ZnTe is an important p-type semiconductor with great applications as field-effect transistors and photodetectors. In this paper, individual ZnTe nanowires based field-effect transistors was fabricated, showing evident p-type conductivity with an effect mobility of 11.3 cm(2)/Vs. Single ZnTe nanowire based
Edward R T Tiekink
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 41(21), 6390-6395 (2012-01-19)
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