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Sigma-Aldrich

Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV)

≥99.99% trace metals basis

Synonyme(s) :

TEMAZ, Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium(IV)

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About This Item

Formule linéaire :
Zr(NCH3C2H5)4
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
323.63
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Niveau de qualité

Pureté

≥99.99% trace metals basis

Forme

liquid

Pertinence de la réaction

core: zirconium

Point d'ébullition

81 °C/0.1 mmHg (lit.)

Densité

1.049 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

CCN(C)[Zr](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Zr/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

Clé InChI

SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N

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Application

Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV) can be used as a precursor for atomic layer deposition of zirconium fluoride. These metal fluorides are applied in the field of catalysis, optical films, and protective coatings for Li-ion battery electrodes.

À utiliser avec

Pictogrammes

FlameExclamation mark

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3 - Water-react 2

Organes cibles

Respiratory system

Code de la classe de stockage

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

50.0 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

10 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter


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ZrO2 monolayer as a removable etch stop layer for thermal Al2O3 atomic layer etching using hydrogen fluoride and trimethylaluminum
David R Zywotko, et al.
Chemistry of Materials, 32, 10055-10065 (2020)
Atomic layer deposition of metal fluorides using HF-pyridine as the fluorine precursor
Younghee Lee, et al.
Chemistry of Materials, 28, 2022-2032 (2016)

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