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Sigma-Aldrich

C8-BTBT

≥99% (HPLC)

Synonym(e):

2,7-Dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophen

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise
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About This Item

Empirische Formel (Hill-System):
C30H40S2
CAS-Nummer:
583050-70-8
Molekulargewicht:
464.77
UNSPSC-Code:
12352103
PubChem Substanz-ID:
329765808
NACRES:
NA.23

Assay

≥99% (HPLC)

Form

powder

mp (Schmelzpunkt)

108-112 °C

Halbleitereigenschaften

P-type (mobility=5.5 cm2/V·s)

SMILES String

CCCCCCCCC1=CC2=C(C=C1)C3=C(C(C=CC(CCCCCCCC)=C4)=C4S3)S2

InChI

1S/C30H40S2/c1-3-5-7-9-11-13-15-23-17-19-25-27(21-23)31-30-26-20-18-24(22-28(26)32-29(25)30)16-14-12-10-8-6-4-2/h17-22H,3-16H2,1-2H3

InChIKey

YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N

Allgemeine Beschreibung

C8-BTBT ist ein leitfähiges Polymer mit [1]Benzothieno[3,2-b][1]- benzothiophen (BTBT) als Grundmaterial für die Entwicklung von luftstabilen Halbleitern. Es kann einen rotationsbeschichteten Dünnfilm bilden, der als p-Typ-Halbleiter mit einer Ladungsmobilität von 43 cm2V-1s-1 verwendet werden kann. Es weist eine hochgeordnete selbstorganisierende Monoschicht (SAM) auf Graphen und hexagonalem Bornitrid (hBN) mit einer Plattenresistenz von <1.000 Ohm/Quadrat auf.

Anwendung

C8-BTBT ist ein konjugierendes Polymer, das in vielen verschiedenen, auf der organischen Elektronik basierenden Anwendungen verwendet werden kann, wozu organische Photovoltaik-Zellen (OPV), organische lichtemittierende Dioden (OLED) und organische Dünnschichttransistoren (OTFT) gehören.
Hohe Feldeffektmobilität von 5,5–5,7 cm2/Vs und hohes Ein/Aus-Verhältnis von 109 ; lösungsverarbeitete OFETs (Löslichkeit von 80 mg/mL)

Rechtliche Hinweise

Produkt von Nippon Kayaku

Lagerklassenschlüssel

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

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Zhimin Chai et al.
ACS applied materials & interfaces, 10(21), 18123-18130 (2018-05-09)
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Solution-processable organic single crystals with bandlike transport in field-effect transistors.
Liu C, et al.
Advanced Materials, 23(4), 523-526 (2011)
Darmawan; Peter;
Advances in Functional Materials, 22(21), 4577-4583 (2012)
Zhimin Chai et al.
Nanotechnology, 30(48), 485203-485203 (2019-08-31)
Achieving low-cost fabrication of organic field-effect transistors (OFETs) has long been pursued in the semiconductor industry. Solution-based process allows the fabrication of OFETs cost-effective because of its merit of vacuum-free and room temperature operation. Here, we show a facile and
Jeong-Wan Jo et al.
Materials (Basel, Switzerland), 13(23) (2020-12-11)
The development of novel dielectric materials with reliable dielectric properties and low-temperature processibility is crucial to manufacturing flexible and high-performance organic thin-film transistors (OTFTs) for next-generation roll-to-roll organic electronics. Here, we investigate the solution-based fabrication of high-k aluminum oxide (Al2O3)
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