Direkt zum Inhalt
Merck

481769

Sigma-Aldrich

Galliumnitrid

99.9% trace metals basis

Synonym(e):

Gallium mononitride, Gallium mononitride (GaN)

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Lineare Formel:
GaN
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
83.73
EG-Nummer:
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352300
PubChem Substanz-ID:
NACRES:
NA.23

Qualitätsniveau

Assay

99.9% trace metals basis

Form

powder

mp (Schmelzpunkt)

800 °C (lit.)

SMILES String

N#[Ga]

InChI

1S/Ga.N

InChIKey

JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N

Suchen Sie nach ähnlichen Produkten? Aufrufen Leitfaden zum Produktvergleich

Anwendung

Gallium nitride (GaN) is a wide band gap semiconducting material, which can be used in the development of a variety of electronic devices, such as light emitting diodes (LEDs), and field effect transistors (FETs). It can also be used as a transition metal dopant for spintronics-based applications.

Piktogramme

Exclamation mark

Signalwort

Warning

H-Sätze

Gefahreneinstufungen

Skin Sens. 1

Lagerklassenschlüssel

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Persönliche Schutzausrüstung

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type N95 (US)


Analysenzertifikate (COA)

Suchen Sie nach Analysenzertifikate (COA), indem Sie die Lot-/Chargennummer des Produkts eingeben. Lot- und Chargennummern sind auf dem Produktetikett hinter den Wörtern ‘Lot’ oder ‘Batch’ (Lot oder Charge) zu finden.

Besitzen Sie dieses Produkt bereits?

In der Dokumentenbibliothek finden Sie die Dokumentation zu den Produkten, die Sie kürzlich erworben haben.

Die Dokumentenbibliothek aufrufen

Kunden haben sich ebenfalls angesehen

Slide 1 of 1

1 of 1

Sanjay Sankaranarayanan et al.
ACS omega, 4(12), 14772-14779 (2019-09-26)
Growth of gallium nitride nanowires on etched sapphire and GaN substrates using binary catalytic alloy were investigated by manipulating the growth time and precursor-to-substrate distance. The variations in behavior at different growth conditions were observed using X-ray diffractometer, Raman spectroscopy
Fabrizio Gaulandris et al.
Microscopy and microanalysis : the official journal of Microscopy Society of America, Microbeam Analysis Society, Microscopical Society of Canada, 26(1), 3-17 (2020-01-21)
One of the biggest challenges for in situ heating transmission electron microscopy (TEM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) is the ability to measure the local temperature of the specimen accurately. Despite technological improvements in the construction of TEM/STEM heating
Gallium nitride as an electromechanical material
Rais-Zadeh M, et al.
Journal of Microelectromechanical Systems : A Joint IEEE and ASME Publication on Microstructures, Microactuators, Microsensors, and Microsystems, 23(6), 1252-1271 (2014)
Gallium nitride nanowire nanodevices
Huang Y, et al.
Nano Letters, 2(2), 101-104 (2002)
Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics, 2(2), 101-104 (2006)

Artikel

Conducting polymers such as polyaniline, polythiophene and polyfluorenes are now much in the spotlight for their applications in organic electronics and optoelectronics.

Lanthanide ions in spectral conversion enhance solar cell efficiency via photon conversion.

Unser Team von Wissenschaftlern verfügt über Erfahrung in allen Forschungsbereichen einschließlich Life Science, Materialwissenschaften, chemischer Synthese, Chromatographie, Analytik und vielen mehr..

Setzen Sie sich mit dem technischen Dienst in Verbindung.