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329010

Sigma-Aldrich

Galliumarsenid

pieces, 99.999% trace metals basis

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise
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About This Item

Lineare Formel:
GaAs
CAS-Nummer:
1303-00-0
Molekulargewicht:
144.64
EG-Nummer:
215-114-8
MDL-Nummer:
MFCD00011017
UNSPSC-Code:
12352300
PubChem Substanz-ID:
24859765

Assay

99.999% trace metals basis

Form

pieces

Dichte

5.31 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES String

[Ga]#[As]

InChI

1S/As.Ga

InChIKey

JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N

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Piktogramme

Health hazard
GHS08

Signalwort

Danger

Gefahreneinstufungen

Carc. 1B - Repr. 1B - STOT RE 1

Zielorgane

Respiratory system,hematopoietic system

Lagerklassenschlüssel

6.1A - Combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Zulassungslistungen

Zulassungslistungen werden hauptsächlich für chemische Produkte erstellt. Für nicht-chemische Produkte können hier nur begrenzte Angaben gemacht werden. Kein Eintrag bedeutet, dass keine der Komponenten gelistet ist. Es liegt in der Verantwortung des Benutzers, die sichere und legale Verwendung des Produkts zu gewährleisten.

EU REACH Annex XVII (Restriction List)

CAS No.

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Analysenzertifikate (COA)

Lot/Batch Number
MKBN3668V
MKBH0099V
MKBG5865V
MKBC7534
MKBC7535

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Yu Bomze et al.
Physical review letters, 109(2), 026801-026801 (2012-10-04)
We report on measurements of first-passage-time distributions associated with current switching in weakly coupled GaAs/AlAs superlattices driven by shot noise, a system that is both far from equilibrium and high dimensional. Static current-voltage (I-V) characteristics exhibit multiple current branches and
Chao-Wei Hsu et al.
Nanotechnology, 23(49), 495306-495306 (2012-11-17)
GaAs is grown by metal-organic vapor-phase epitaxy on a 55 nm round-hole patterned Si substrate with SiO(2) as a mask. The threading dislocations, which are stacked on the lowest energy facet plane, move along the SiO(2) walls, reducing the number
Shih-Wei Tan et al.
PloS one, 7(11), e50681-e50681 (2012-12-12)
Characterization and modeling of metal-semiconductor-metal (MSM) GaAs diodes using to evaporate SiO₂ and Pd simultaneously as a mixture electrode (called M-MSM diodes) compared with similar to evaporate Pd as the electrode (called Pd-MSM diodes) were reported. The barrier height (φ(b))
Chan Il Yeo et al.
Optics express, 20(17), 19554-19562 (2012-10-06)
We present a simple, cost-effective, large scale fabrication technique for antireflective disordered subwavelength structures (d-SWSs) on GaAs substrate by Ag etch masks formed using spin-coated Ag ink and subsequent inductively coupled plasma (ICP) etching process. The antireflection characteristics of GaAs
Kazuue Fujita et al.
Optics express, 20(18), 20647-20658 (2012-10-06)
Device-performances of 3.7 THz indirect-pumping quantum-cascade lasers are demonstrated in an InGaAs/InAlAs material system grown by metal-organic vapor-phase epitaxy. The lasers show a low threshold-current-density of ~420 A/cm2 and a peak output power of ~8 mW at 7 K, no
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