Přejít k obsahu
Merck
Všechny fotografie(3)

Key Documents

View All Documentation

378097

Sigma-Aldrich

Silicon carbide

-200 mesh particle size

Přihlásitk zobrazení cen stanovených pro organizaci a smluvních cen
Všechny fotografie(3)

About This Item

Lineární vzorec:
SiC
Číslo CAS:
409-21-2
Molekulová hmotnost:
40.10
EC Number:
206-991-8
MDL number:
MFCD00049531
UNSPSC Code:
12352300
PubChem Substance ID:
24863541
NACRES:
NA.23

form

powder

particle size

-200 mesh

mp

2700 °C (lit.)

density

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2

InChI key

HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

Hledáte podobné produkty? Navštivte Průvodce porovnáváním produktů

General description

Silicon carbide (SiC) is a semiconductor based material that consists of a closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has an excellent thermo-mechanical property that makes it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.

Application

SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices(OLEDs), UV detectors, high temperature electronics (nuclear electronics), high frequency devices

Storage Class

11 - Combustible Solids

wgk_germany

nwg

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Osvědčení o analýze (COA)

Vyhledejte osvědčení Osvědčení o analýze (COA) zadáním čísla šarže/dávky těchto produktů. Čísla šarže a dávky lze nalézt na štítku produktu za slovy „Lot“ nebo „Batch“.

Již tento produkt vlastníte?

Dokumenty související s produkty, které jste v minulosti zakoupili, byly za účelem usnadnění shromážděny ve vaší Knihovně dokumentů.

Navštívit knihovnu dokumentů

Properties of silicon carbide (1995)
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
A high-density, high-efficiency, isolated on-board vehicle battery charger utilizing silicon carbide power devices
Whitaker B, et al.
IEEE Transactions on Power Electronics, 29(5), 2606-2617 (2013)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)
4H-SiC UV photo detectors with large area and very high specific detectivity
Yan F, et al.
IEEE J. Quant. Elect., 40(9), 1315-1320 (2004)
Zobrazit všechny související dokumenty

Sortimentní položky

Advanced Inorganic Materials for Lighting

Three approaches generate white light, including LED-based down-conversion for broader applications.

Náš tým vědeckých pracovníků má zkušenosti ve všech oblastech výzkumu, včetně přírodních věd, materiálových věd, chemické syntézy, chromatografie, analytiky a mnoha dalších..

Obraťte se na technický servis.