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Sigma-Aldrich

Indium

wire, diam. 2.0 mm, 99.995% trace metals basis

Synonyme(s) :

Indium element

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About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
In
Numéro CAS:
7440-74-6
Poids moléculaire :
114.82
Numéro CE :
231-180-0
Numéro MDL:
MFCD00134048
Code UNSPSC :
12141719
ID de substance PubChem :
24861884
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pression de vapeur

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Pureté

99.995% trace metals basis

Forme

wire

Résistivité

8.37 μΩ-cm

Diamètre

2.0 mm

Pf

156.6 °C (lit.)

Densité

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

[In]

InChI

1S/In

Clé InChI

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

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Quantité

4.5 g = 20 cm; 22.5 g = 100 cm

Remplacé(e)(s) par

Réf. du produit
Description
Tarif

Pictogrammes

Health hazard
GHS08

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H372

Classification des risques

STOT RE 1 Inhalation

Organes cibles

Lungs

Code de la classe de stockage

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 1

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

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Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Juan Zhou et al.
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
Yuji Zhao et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A53-A59 (2013-02-15)
Linear polarized electroluminescence was investigated for semipolar (3031) and (3031) InGaN light-emitting diodes (LEDs) with various indium compositions. A high degree of optical polarization was observed for devices on both planes, ranging from 0.37 at 438 nm to 0.79 at
Thirumaleshwara N Bhat et al.
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The thermal oxidation process of the indium nitride (InN) nanorods (NRs) was studied. The SEM studies reveal that the cracked and burst mechanism for the formation of indium oxide (In2O3) nanostructures by oxidizing the InN NRs at higher temperatures. XRD
Hwa Sub Oh et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 564-567 (2013-05-08)
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