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667846

Sigma-Aldrich

BBL

Synonyme(s) :

BBL

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About This Item

Formule linéaire :
(C20H6N4O2)n
Numéro CAS:
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
Nomenclature NACRES :
NA.23

Description

Band gap: 1.9 eV

Niveau de qualité

Forme

solid

Énergie orbitale

HOMO -5.9 eV 
LUMO -4.0 eV 

Performance des dispositifs OPV

ITO/MEH-PPV/BBL/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 1.98 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.93 V
  • Fill Factor (FF): 0.47
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 1.1 %

ITO/PPV/BBL/Al
  • Short-circuit current density (Jsc): 2.15 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 1.1 V
  • Fill Factor (FF): 0.5
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 1.5 %

Propriétés du semi-conducteur

N-type (mobility=0.1 cm2/V·s)
P-type (mobility=0.4 cm2/V·s)

Application

Polymer semiconductor with n-type behavior in organic field-effect transistors (FETs) and photovoltaic cells (PVs). Processed from solutions in methanesulfonic acid.

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Efficient Solar Cells from Layered Nanostructures of Donor and Acceptor Conjugated Polymers
Alam, M. M.; Jenekhe, S. A.
Chemistry of Materials, 16, 4647-4656 (2004)
Manoj, A.G.; Narajan, K.S.
Opt. Mater., 21, 417-417 (2002)
Amit Babel et al.
Journal of the American Chemical Society, 125(45), 13656-13657 (2003-11-06)
Field-effect mobility of electrons as high as 0.1 cm2/(V s) is observed in n-channel thin film transistors fabricated from a solution spin-coated conjugated ladder polymer, poly(benzobisimidazobenzophenanthroline) (BBL), under ambient air conditions. This is the highest electron mobility observed to date
Jenekhe, S.A.; Yi, S.
Applied Physics Letters, 77, 2635-2635 (2000)

Articles

The development of high-performance conjugated organic molecules and polymers has received widespread attention in industrial and academic research.

Intrinsically stretchable active layers for organic field-effect transistors (OFET) are discussed. Polymer structural modification & post-polymerization modifications are 2 methods to achieve this.

Fabrication procedure of organic field effect transistor device using a soluble pentacene precursor.

Thin, lightweight, and flexible electronic devices meet widespread demand for scalable, portable, and robust technology.

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