759414
Orthosilicate de tétraéthyle
packaged for use in deposition systems
Synonyme(s) :
Ester tétraéthylique de l'acide orthosilicique, TEOS, Tétraéthoxysilane
About This Item
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Densité de vapeur
7.2 (vs air)
Pression de vapeur
<1 mmHg ( 20 °C)
Pureté
≥99.5% (GC)
Forme
liquid
Indice de réfraction
n20/D 1.382 (lit.)
Point d'ébullition
168 °C (lit.)
Densité
0.933 g/mL at 20 °C (lit.)
Chaîne SMILES
CCO[Si](OCC)(OCC)OCC
InChI
1S/C8H20O4Si/c1-5-9-13(10-6-2,11-7-3)12-8-4/h5-8H2,1-4H3
Clé InChI
BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N
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Application
- Si oxide
- Oxycarbide
- Doped silicate
- Silanol
- Siloxane polymer
- Organosilicon thin films
The films can be deposited at low temperatues (<250 °C). TEOS is also used to deposit mesoporous and nanoporous thin films of silica. These porous films can be doped during deposition to further enhance their properties.
Mention d'avertissement
Warning
Mentions de danger
Conseils de prudence
Classification des risques
Acute Tox. 4 Inhalation - Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 3 - STOT SE 3
Organes cibles
Respiratory system
Code de la classe de stockage
3 - Flammable liquids
Classe de danger pour l'eau (WGK)
WGK 1
Point d'éclair (°F)
113.0 °F - closed cup
Point d'éclair (°C)
45 °C - closed cup
Certificats d'analyse (COA)
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