Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(3)

Dokumenty

357391

Sigma-Aldrich

Silicon carbide

−400 mesh particle size, ≥97.5%

Synonim(y):

Carbon silicide, Carborundum, Methanidylidynesilanylium, Silicon monocarbide

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(3)

About This Item

Wzór liniowy:
SiC
Numer CAS:
409-21-2
Masa cząsteczkowa:
40.10
Numer WE:
206-991-8
Numer MDL:
MFCD00049531
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
24861911
NACRES:
NA.23

opis

hexagonal phase

Próba

≥97.5%

Postać

powder

wielkość cząstki

−400 mesh

mp

2700 °C (lit.)

gęstość

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2

Klucz InChI

HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Opis ogólny

Silicon carbide (SiC) is a semiconducting material with closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has excellent thermo-mechanical and electrical properties that make it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.

Zastosowanie

SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices (light emitting diodes (LEDs), UV detectors), high temperature electronics (nuclear electronics), and high frequency devices.
This page may contain text that has been machine translated.

Kod klasy składowania

11 - Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

nwg

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Certyfikaty analizy (CoA)

Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Emanuele Rizzuto et al.
Sensors (Basel, Switzerland), 19(23) (2019-11-27)
In this paper, the characterization of the main techniques and transducers employed to measure local and global strains induced by uniaxial loading of murine tibiae is presented. Micro strain gauges and digital image correlation (DIC) were tested to measure local
Properties of silicon carbide (1995)
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
A high-density, high-efficiency, isolated on-board vehicle battery charger utilizing silicon carbide power devices
Whitaker B, et al.
IEEE Transactions on Power Electronics, 29(5), 2606-2617 (2013)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Produkty

Advanced Inorganic Materials for Lighting

Three approaches generate white light, including LED-based down-conversion for broader applications.

Zaawansowane materiały nieorganiczne dla oświetlenia

Trzy podejścia generują białe światło, w tym konwersję w dół opartą na diodach LED do szerszych zastosowań.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej