Saltar al contenido
Merck

303518

Sigma-Aldrich

Tantalum(V) oxide

99% trace metals basis

Sinónimos:

Tantalum pentoxide

Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización


About This Item

Fórmula lineal:
Ta2O5
Número de CAS:
Peso molecular:
441.89
EC Number:
MDL number:
UNSPSC Code:
12352303
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

assay

99% trace metals basis

form

powder

reaction suitability

reagent type: catalyst
core: tantalum

density

8.2 g/mL at 25 °C (lit.)

application(s)

battery manufacturing

SMILES string

O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O

InChI

1S/5O.2Ta

InChI key

PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N

¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos

General description

Tantalum pentoxide is dielectric in nature making it useful for making capacitors in the electronics industry.

Application

Tantalum oxide is intermixed with silicon in gate dielectric structures. It may be used to synthesize hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.Ion-beam sputter deposition of tantalum oxide films was investigated for possible optical coating applications.It may be used in making optical glass for lenses and in electronic circuits.

Storage Class

11 - Combustible Solids

wgk_germany

nwg

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Certificados de análisis (COA)

Busque Certificados de análisis (COA) introduciendo el número de lote del producto. Los números de lote se encuentran en la etiqueta del producto después de las palabras «Lot» o «Batch»

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos

Effects of oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.
H Demiryont et al.
Applied optics, 24(4), 490-490 (1985-02-15)
Synthesis and characterization of hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.
Antonelli DM and Ying JY
Chemistry of Materials, 8(4), 874-881 (1996)
Intermixing at the tantalum oxide/silicon interface in gate dielectric structures.
Alers GB, et al.
Applied Physics Letters, 73(11), 1517-1519 (1998)

Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.

Póngase en contacto con el Servicio técnico