跳转至内容
Merck
所有图片(1)

Key Documents

901621

Sigma-Aldrich

缓冲氧化物蚀刻剂(BOE) 10:1

别名:

BHF, 缓冲HF

登录查看公司和协议定价


About This Item

分類程式碼代碼:
12161700
NACRES:
NA.23

一般說明

缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)是一种用于微细加工的湿蚀刻剂。它的主要用途是蚀刻二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜。它是一种缓冲剂的混合物,例如氟化铵(NH4F)和氢氟酸(HF)。浓缩HF对二氧化硅的蚀刻速度太快,无法实现良好的工艺控制,并且还会剥离用于光刻图案化的光刻胶。

應用

缓冲氧化物蚀刻剂(BOE) 10:1可用于刻蚀微机电系统 (MEMS)用碳化钛。也可用于旋涂掺杂材料(SOD)的蚀刻,用于开发导体-绝缘体-导体隧穿二极管。它还用于提高熔融石英器件的表面质量。

象形圖

Skull and crossbonesCorrosion

訊號詞

Danger

危險分類

Acute Tox. 2 Dermal - Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 3 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1B

儲存類別代碼

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

水污染物質分類(WGK)

WGK 2

閃點(°F)

Not applicable

閃點(°C)

Not applicable


分析证书(COA)

输入产品批号来搜索 分析证书(COA) 。批号可以在产品标签上"批“ (Lot或Batch)字后找到。

已有该产品?

在文件库中查找您最近购买产品的文档。

访问文档库

Study on surface roughness improvement of Fused Quartz after thermal and chemical post-processing
2016 IEEE International Symposium on Inertial Sensors and Systems, 31(8), 101-104 (2016)
Integration of wear-resistant titanium carbide coatings into MEMS fabrication processes
Radhakrishnan G, et al.
Tribology Letters, 8(2-3), 133-137 (2000)
New process development for planar-type CIC tunneling diodes
Choi K, et al.
IEEE Electron Device Letters, 31(8), 809-811 (2010)

我们的科学家团队拥有各种研究领域经验,包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.

联系技术服务部门