Accéder au contenu
Merck
Toutes les photos(1)

Key Documents

634689

Sigma-Aldrich

Strontium titanate

single crystal substrate, <100>

Synonyme(s) :

Strontium titanium trioxide

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme


About This Item

Formule linéaire :
SrTiO3
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
183.49
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Forme

crystalline (cubic (a=3.905 Å))

Constante diélectrique

~300

Dureté

6 (, Mohs)

Pertinence de la réaction

reagent type: catalyst
core: titanium

Taille

10 mm × 10 mm × 0.5 mm

Pf

2060 °C (lit.)
2080 °C

Densité

4.81 g/mL at 25 °C (lit.)
5.175 g/mL at 25 °C

Propriétés du semi-conducteur

<100>

Chaîne SMILES 

[Sr++].[O-][Ti]([O-])=O

InChI

1S/3O.Sr.Ti/q;2*-1;+2;

Clé InChI

VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N

Vous recherchez des produits similaires ? Visite Guide de comparaison des produits

Propriétés physiques

Loss Tangent at 10GHz: ~5 x 10-4 @ 300K, ~3 x 10-4 @ 77K; Thermal expansion: 10.4 (x 10-6/°C)

Forme physique

cubic (a = 3.905 Å)

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Certificats d'analyse (COA)

Recherchez un Certificats d'analyse (COA) en saisissant le numéro de lot du produit. Les numéros de lot figurent sur l'étiquette du produit après les mots "Lot" ou "Batch".

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Troy K Townsend et al.
ACS nano, 6(8), 7420-7426 (2012-07-24)
SrTiO(3) (STO) is a large band gap (3.2 eV) semiconductor that catalyzes the overall water splitting reaction under UV light irradiation in the presence of a NiO cocatalyst. As we show here, the reactivity persists in nanoscale particles of the
Ralf Moos et al.
Sensors (Basel, Switzerland), 11(4), 3439-3465 (2011-12-14)
Resistive oxygen sensors are an inexpensive alternative to the classical potentiometric zirconia oxygen sensor, especially for use in harsh environments and at temperatures of several hundred °C or even higher. This device-oriented paper gives a historical overview on the development
S A Pauli et al.
Physical review letters, 106(3), 036101-036101 (2011-03-17)
The evolution of the atomic structure of LaAlO_{3} grown on SrTiO_{3} was investigated using surface x-ray diffraction in conjunction with model-independent, phase-retrieval algorithms between two and five monolayers film thickness. A depolarizing buckling is observed between cation and oxygen positions
Chemically driven nanoscopic magnetic phase separation at the SrTiO(3) (001)/La(1-x) Sr(x) CoO(3) interface.
Maria A Torija et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 23(24), 2711-2715 (2011-04-21)
L Avilés Félix et al.
Nanotechnology, 23(49), 495715-495715 (2012-11-17)
The transport properties of ultra-thin SrTiO(3) (STO) layers grown over YBa(2)Cu(3)O(7) electrodes were studied by conductive atomic force microscopy at the nano-scale. A very good control of the barrier thickness was achieved during the deposition process. A phenomenological approach was

Articles

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique