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Sigma-Aldrich

Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)

≥99.99% trace metals basis

Synonyme(s) :

TEMAH, Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Formule linéaire :
[(CH3)(C2H5)N]4Hf
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
410.90
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

≥99.99% trace metals basis

Forme

liquid

Pertinence de la réaction

core: hafnium

Impuretés

Purity excludes ~2000 ppm Zirconium

Point d'ébullition

78 °C/0.01 mmHg (lit.)

Pf

<-50 °C

Densité

1.324 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

Clé InChI

NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

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Description générale

Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV) (TEMAH) is a colorlessliquid that is sensitive to water and air. It freezes at -50 °C and boilsaround 78 °C at 0.1 Torr.

Application

TEMAH is used as a precursor for atomic layer deposition (ALD)of hafnium oxide (HfO2) thin films. Because HfO2 has a high dielectric constant of 16-25, it is commonly used as a dielectric film in semiconductor fabrication.

TEMAH is ideal for ALD because of its low boiling point and its reactivity with water and ozone. Most importantly, its adsorption is self-limiting on a number of substrates including glass, indium-tin oxide(ITO), and Si(100). Researchers have also used it to deposit thin films ofHfO2 on 2D materials, like MoS2.


TEMAH is also useful precursor in the synthesis of ferroelectric hafnium zirconium oxide and Hf1-xZrxO2 thin films on MoS2 phototransistors. Researchers have also deposited thin films of hafnium nitride (Hf3N4) by ALD alternatively pulsing TEMAH and ammonia.

Caractéristiques et avantages

  • Thermally stable.
  • It has sufficient volatility and is suitable for use in vapor deposition.
  • Completely self-limiting surface reactions.

À utiliser avec

Pictogrammes

FlameCorrosionExclamation mark

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1

Organes cibles

Respiratory system

Risques supp

Code de la classe de stockage

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

51.8 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

11 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter


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