Accéder au contenu
Merck
Toutes les photos(1)

Key Documents

357278

Sigma-Aldrich

Indium

foil, thickness 1.0 mm, 99.999% trace metals basis

Synonyme(s) :

Indium element

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme


About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
In
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
114.82
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12141719
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pression de vapeur

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Pureté

99.999% trace metals basis

Forme

foil

Résistivité

8.37 μΩ-cm

Épaisseur

1.0 mm

Pf

156.6 °C (lit.)

Densité

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

[In]

InChI

1S/In

Clé InChI

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Vous recherchez des produits similaires ? Visite Guide de comparaison des produits

Quantité

4.6 g = 25 × 25 mm

Pictogrammes

Health hazard

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

STOT RE 1 Inhalation

Organes cibles

Lungs

Code de la classe de stockage

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 1

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Certificats d'analyse (COA)

Recherchez un Certificats d'analyse (COA) en saisissant le numéro de lot du produit. Les numéros de lot figurent sur l'étiquette du produit après les mots "Lot" ou "Batch".

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Les clients ont également consulté

Slide 1 of 7

1 of 7

Ching-Hwa Ho et al.
ACS applied materials & interfaces, 5(6), 2269-2277 (2013-03-05)
The surface formation oxide assists of visible to ultraviolet photoelectric conversion in α-In2Se3 hexagonal microplates has been explored. Hexagonal α-In2Se3 microplates with the sizes of 10s to 100s of micrometers were synthesized and prepared by the chemical vapor transport method
G W Shu et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(10), 3618-3622 (2013-02-06)
Nonradiative energy transfer from an InGaN quantum well to Ag nanoparticles is unambiguously demonstrated by the time-resolved photoluminescence. The distance dependence of the energy transfer rate is found to be proportional to 1/d(3), in good agreement with the prediction of
Han-Youl Ryu et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A190-A200 (2013-02-15)
We investigate the dependence of various efficiencies in GaN-based vertical blue light-emitting diode (LED) structures on the thickness and doping concentration of the n-GaN layer by using numerical simulations. The electrical efficiency (EE) and the internal quantum efficiency (IQE) are
Annick Bay et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A179-A189 (2013-02-15)
In this paper the design, fabrication and characterization of a bioinspired overlayer deposited on a GaN LED is described. The purpose of this overlayer is to improve light extraction into air from the diode's high refractive-index active material. The layer
Dawei Deng et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(14), 5078-5083 (2013-03-02)
Exploring the synthesis and biomedical applications of biocompatible quantum dots (QDs) is currently one of the fastest growing fields of nanotechnology. Hence, in this work, we present a facile approach to produce water-soluble (cadmium-free) quaternary Zn-Ag-In-S (ZAIS) QDs. Their efficient

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique