Accéder au contenu
Merck
Toutes les photos(1)

Key Documents

View All Documentation

266809

Sigma-Aldrich

Hafnium

turnings, crystal bar, 99.7% trace metals basis

Synonyme(s) :

Celtium, Hafnium element

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme
Toutes les photos(1)

About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
Hf
Numéro CAS:
7440-58-6
Poids moléculaire :
178.49
Numéro MDL:
MFCD00011032
Code UNSPSC :
12141718
ID de substance PubChem :
24856162
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

99.7% trace metals basis

Forme

turnings, crystal bar

Résistivité

29.6 μΩ-cm, 0°C

Point d'ébullition

4602 °C (lit.)

Pf

2227 °C (lit.)

Densité

13.3 g/cm3 (lit.)

Chaîne SMILES 

[Hf]

InChI

1S/Hf

Clé InChI

VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N

Vous recherchez des produits similaires ? Visite Guide de comparaison des produits

Catégories apparentées

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 1

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Certificats d'analyse (COA)

Recherchez un Certificats d'analyse (COA) en saisissant le numéro de lot du produit. Les numéros de lot figurent sur l'étiquette du produit après les mots "Lot" ou "Batch".

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Laurence Maggiorella et al.
Future oncology (London, England), 8(9), 1167-1181 (2012-10-04)
There is considerable interest in approaches that could improve the therapeutic window of radiotherapy. In this study, hafnium oxide nanoparticles were designed that concentrate in tumor cells to achieve intracellular high-energy dose deposit. Conventional methods were used, implemented in different
Célia Lourenço et al.
The journal of physical chemistry. A, 116(51), 12399-12405 (2012-11-29)
Fourier transform ion cyclotron resonance mass spectrometry was used to characterize the gas-phase reactivity of Hf dipositive ions, Hf(2+)and HfO(2+), toward several oxidants: thermodynamically facile O-atom donor N(2)O, ineffective donor CO, and intermediate donors O(2), CO(2), NO, and CH(2)O. The
Suresh Kumar Raman Pillai et al.
ACS applied materials & interfaces, 4(12), 7047-7054 (2012-12-01)
The large-scale application of semiconducting single-walled carbon nanotubes (s-SWCNTs) for printed electronics requires scalable, repeateable, as well as noncontaminating assembly techniques. Previously explored nanotube deposition methods include serial methods such as inkjet printing and parallel methods such as spin-coating with
José Luis Olivares-Romero et al.
Journal of the American Chemical Society, 134(12), 5440-5443 (2012-03-17)
Asymmetric epoxidation of allylic and homoallylic amine derivatives catalyzed by Hf(IV)-bishydroxamic acid complexes is described. Under similar conditions, aldimine and ketimine produced oxaziridines. The sulfonyl group is demonstrated to be an effective directing group for these transformations.
Hyun-June Jung et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(25), 3396-3400 (2012-05-26)
Bismuth nanocrystals for a nanoscale floating gate memory device are self-assembled in Bi(2) Mg(2/3) Nb(4/3) O(7) (BMN) dielectric films grown at room temperature by radio-frequency sputtering. The TEM cross-sectional image shows the "real" structure grown on a Si (001) substrate.
Afficher tous les articles scientifiques apparentés

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique