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333891

Sigma-Aldrich

Silane

≥99.998%, electronic grade

Sinônimo(s):

Silicon tetrahydride

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About This Item

Fórmula linear:
SiH4
Número CAS:
Peso molecular:
32.12
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352300
ID de substância PubChem:

grau

electronic grade

densidade de vapor

1.1 (vs air)

Ensaio

≥99.998%

forma

gas

resistividade

>1000 Ω-cm

Impurezas

<1 ppm Carbon dioxide (CO2)
<1 ppm Carbon monoxide (CO)
<1 ppm Chlorosilanes
<1 ppm THC
<1 ppm Trisilane (Si3H8)
<1 ppm Water (H2O)
<100 ppm Hydrogen (H2)
<2 ppm Nitrogen (N2)
<2 ppm Siloxanes
<5 ppm Disilane (Si2H6)

pb

−112 °C (lit.)

pf

−185 °C (lit.)

temperatura de transição

critical temperature −3.4 °C

densidade

1.114 g/mL at 25 °C (lit.)

cadeia de caracteres SMILES

[SiH4]

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Aplicação

Silane is used in the deposition of amorphous silicon, epitaxial silicon and silicon based dielectrics. Polycrystalline films can be deposited on silicon wafers and glass substrates via remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD) using a SiH4-SiF2-H2 gas mixture. Silane is used widely as a dopant in the formation of III-IV semiconductor materials.

Produtos recomendados

Stainless steel regulators Z527416 or Z527424 are recommended.

Pictogramas

FlameGas cylinder

Palavra indicadora

Danger

Frases de perigo

Declarações de precaução

Classificações de perigo

Flam. Gas 1A - Press. Gas Compr. Gas

Código de classe de armazenamento

2A - Gases

Classe de risco de água (WGK)

WGK 1

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

Equipamento de proteção individual

Eyeshields, Faceshields, Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US)


Certificados de análise (COA)

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Hu, C. C.
Thin Solid Films, 288, 147-147 (1996)
Structural and electrical properties of low temperature polycrystalline silicon deposited using SiF4?SiH4?H2
Jin Jang
Thin Solid Films, 289, 227-227 (1996)
Quinn, L.J.
Thin Solid Films, 296, 7-7 (1997)

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